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    • 专利摘要:
    EineSpeichervorrichtung schließt eineausführbareFlashspeicher-Partition und eine nicht ausführbare Partition ein, wobeibeide Partitionen auf einem gemeinsamen Chip hergestellt sind. Vorzugsweise werdenbeide Partitionen mit derselben Flashspeicher-Technologie hergestellt.Am meisten bevorzugt haben die Flashzellen beider Partitionen isolierendeschwebende Gates.
    公开号:DE102004018473A1
    申请号:DE200410018473
    申请日:2004-04-16
    公开日:2004-11-18
    发明作者:Dana Gross；Menahem Lasser
    申请人:SanDisk IL Ltd；Milsys Ltd；
    IPC主号:G11C
    专利说明:
    [0001] Dievorliegende Erfindung betrifft Flashspeicher-Vorrich tungen undinsbesondere eine Flashspeicher-Vorrichtung, die ausführbarenund nicht ausführbarenSpeicher auf einem gemeinsamen Chip kombiniert.
    [0002] Flashspeicherist eine bekannte Datenspeichertechnologie, die weithin zur nichtflüchtigenDatenspeicherung verwendet wird. Allgemein gesprochen gibt es zweiKlassen von Flashspeicher-Vorrichtungen: Geräte mit wahlfreiem Zugriff undGeräte mitseriellem Zugriff.
    [0003] Flashgeräte mit wahlfreiemZugriff sind Vorrichtungen, auf die wahlfrei zum Lesen zugegriffen werdenkann. Auf jedes Speicherbit innerhalb eines solchen Geräts kanndirekt zum Lesen zugegriffen werden durch Bereitstellung der Adressedes Bits an den Gerätepinsund anschließendesofortige Abrufung des angeforderten Bitwerts (ohne dass das Gerät zuerstintern auf nicht angeforderte Zellen zugreifen oder eine Folge vonBefehlscodes durchlaufen muss). Es gibt zwei Hauptarten von Flashgeräten mit wahlfreiemZugriff. Eine Art von Flashgerätmit wahlfreien Zugriff verwendet Flashzellen mit leitenden schwebendenGates. Beispiele fürdiese Art von FlashgerätschließenNOR-Geräteein, wie zum Beispiel solche, die von Intel, AMD und anderen Firmen hergestelltund vertrieben werden. Die andere Art von Flashgerät mit wahlfreiemZugriff verwendet Flashzellen mit isolierenden schwebenden Gates.Beispiele fürdiese Art von Flashgerätschließendie MirrorBit-Geräteein, die von AMD hergestellt und vertrieben werden (auch angebotenvon Fujitsu unter dem Namen MirrorFlash), und die NROM-Geräte, dievon Saifun Semiconductors in Netanya, Israel, hergestellt und vertriebenwerden.
    [0004] Flashgeräte mit seriellemZugriff sind Geräte, für die dasoben Gesagte nicht gültigist. Auf Speicherbits innerhalb eines solchen Geräts kannnicht direkt zum Lesen zugegriffen werden. Wenn der Wert eines Bitsgelesen werden muss, erhältdas Gerät eineAdresse, die eine relativ großeGruppe von Bits kennzeichnet (normalerweise einen Sektor von 512 Byte= 4096 Bit); auf alle Bits in der Gruppe wird zugegriffen und alleBits werden in einen internen RAM-Puffer innerhalb des Geräts geladenund nur dann ist es möglich,den Wert des angeforderten Bits abzurufen, durch Bereitstellungseiner Adresse innerhalb der Gruppe von Daten im Puffer. Beispielefür solcheFlashgerätemit seriellem Zugriff schließen NAND-Geräte ein,wie zum Beispiel solche, wie sie von Toshiba, Samsung und anderenFirmen hergestellt und vertrieben werden.
    [0005] EinVorteil von Flashgerätenmit seriellem Zugriff gegenüberFlashgerätenmit wahlfreiem Zugriff ist, dass Geräte mit seriellem Zugriff kompakter sindals vergleichbare Gerätemit wahlfreiem Zugriff. Das liegt daran, dass, da keine Notwendigkeitbesteht, auf jedes Bit einzeln zuzugreifen, sowohl die Zellen alsauch die dazugehörigeDecodier- und Steuerschaltung eines Geräts mit seriellem Zugriff kleinersind als die Zellen und die Decodier- und Steuerschaltung einesvergleichbaren Gerätsmit wahlfreiem Zugriff. Ein Gerätmit seriellem Zugriff packt daher mehr Bits in denselben Halbleiterbereich alsein vergleichbares Gerätmit wahlfreiem Zugriff und kostet weniger pro Bit als ein vergleichbaresGerät mitwahlfreiem Zugriff.
    [0006] Hinweis:Die obige Beschreibung behandelt die Flashgeräte als Geräte, die unabhängige Bits speichern.Tatsächlichsind die meisten Flashgeräte in8-Bit-Bytes oder 16-Bit-Wörternorganisiert (d. h. selbst in einem Gerät mit wahlfreiem Zugriff istes nicht möglich,nur ein einzelnes Bit zu lesen, und die kleinste Gruppe von Bits,auf die zugegriffen werden kann, ist ein Byte oder ein Wort). DiesesDetail hat jedoch keine Bedeutung für die vorliegende Erfindung unddaher wurde oben das Bild des einzelnen Bits zur Vereinfachung benutzt.
    [0007] Hinweis:Flashzellen könnenentweder binär (d.h. ein Bit pro Zelle) oder mehrstufig (d. h. mehr als ein Bit proZelle) sein, wie in Harari, US5,043,940 und in Assar et al., US 5,596,526 . Die vorliegende Erfindungist auf beide Arten von Flashzellen anwendbar, obwohl die obigenErklärungensich zur Verdeutlichung auf binäreZellen beziehen.
    [0008] Eineandere Art, Flashspeicher-Gerätezu klassifizieren, ist nach Ausführbarkeitoder fehlender Ausführbarkeit.Ein "ausführbares" Flashgerät ist ein Flashgerät, in demein Computermaschinencode gespeichert und direkt vor Ort ausgeführt werdenkann, ohne zuvor in ein anderes Speichergerät kopiert zu werden. Die beidenKlassifikationen, wahlfreier Zugriff bzw. serieller Zugriff, undausführbarbzw. nicht ausführbar,sind nicht unabhängig,wie aus den folgenden drei Überlegungenersichtlich ist: 1. Sowohl Flashspeicher-Geräte mit wahlfreiem Zugriffals auch Flashspeicher-Gerätemit seriellem Zugriff könnenzur Datenspeicherung verwendet werden. 2. Computercode ist nur eine bestimmte Art von Daten, die entwederin einem Flashspeicher-Gerätmit wahlfreiem Zugriff oder in einem Flashspeicher-Gerät mit seriellemZugriff gespeichert werden kann. 3. Nur Speichergerätemit wahlfreiem Zugriff sind ausführbar.Dies liegt daran, dass beim Ausführen desCodes der ausführendeProzessor wahlfrei auf Speicherorte innerhalb des Speichers zugreifenmuss. Zum Beispiel lässtein Sprungbefehl im Code den Prozessor nach einem nächsten Speicherortfragen, der weit vom vorherigen Speicherort entfernt sein kann.
    [0009] Modernezellulare Telefone, persönlichedigitale Assistenten (PDAs) und ähnlicheelektronische Gerätemüssensowohl Code als auch Nicht-Code-Daten speichern. Es gibt mindestensvier Arten, dies mit Flashspeicher-Geräten zu bewerkstelligen: 1. Das Verwenden eines ersten Flashspeicher-Geräts, das ausführbar odernicht ausführbarsein kann, zur Speicherung von Nicht-Code-Daten. Das Verwenden eineszweiten ausführbarenFlashspeicher-Gerätszur Codespeicherung. Das Ausführendes Codes an Ort und Stelle vom zweiten Gerät. 2. Das Verwenden eines ersten Flashspeicher-Geräts, dasausführbaroder nicht ausführbarsein kann, zur Speicherung von Nicht-Code-Daten. Das Verwenden eineszweites Flashspeicher-Geräts,das auch ausführbaroder nicht ausführbarsein kann, zur Codespeicherung. Der auszuführende Code wird vom zweitenFlashspeicher-Gerätin einen flüchtigenDirektzugriffsspeicher (RAM) kopiert und vom RAM aus ausgeführt. DieseAnordnung erfordert zumindest eine kleine Menge an ausführbaremnicht flüchtigenSpeicher zur Ausführungdes Boot-Codes des Systems beim Starten. Dieser Boot-Code-Speicherkann sich entweder im zweiten Flashspeicher-Gerät befinden (wenn das zweiteFlashspeicher-Gerät ausführbar ist)oder in einer separaten integrierten Schaltung. 3. Das Verwenden eines einzigen ausführbaren Flashspeicher-Geräts, um sowohlCode als auch Nicht-Code-Daten zu speichern. Der Code wird an Ortund Stelle vom Flashspeicher-Gerätausgeführt. 4. Das Verwenden von nur einem Flashspeicher-Gerät, das ausführbar odernicht ausführbar seinkann, um sowohl Code als auch Nicht-Code-Daten zu speichern. DerauszuführendeCode wird vom Flashspeicher-Gerätins RAM kopiert und vom RAM aus ausgeführt. Wie bei der zweiten Optionmuss zumindest eine kleine Menge an ausführbarem nicht flüchtigenSpeicher zur Ausführungvon Boot-Code vorhanden sein.
    [0010] Jededieser vier Architekturen hat ihre eigenen Vor- und Nachteile. Allevier Architekturen werden heute verwendet. Da jedoch die Reduzierung vonHerstellungskosten immer wichtiger wird, besteht ein deutlicherVorteil in der dritten oben genannten Architektur, die eine einzigeintegrierte Flash-Schaltung anstelle von zwei integrierten Schaltungenbenutzt und die kein Hinzufügenvon zusätzlichemRAM erfordert, aus dem heraus der Code ausgeführt werden soll. Daher werdenin letzter Zeit immer mehr zellulare Telefone und PDAs mit nur einem Flashspeicher-Gerät hergestellt,von dem aus der Code direkt an Ort und Stelle ausgeführt wird.
    [0011] Esbesteht jedoch ein inhärentesProblem bei der Konfiguration, die Code in demselben Flashspeicher-Gerät ausführt, indem Nicht-Code-Daten gespeichert sind. Wenn Nicht-Code-Daten geschriebenoder gelöschtwerden, benötigtdas Flashspeicher-Gerät eine relativlange Zeit, um den Schreib- oder Löschvorgang abzuschließen. Ineinem typischen NOR-Flash-Gerätdauert zum Beispiel das Lesen zig Nanosekunden pro wahlfrei gelesenerDateneinheit (Byte oder Wort, je nach der spezifischen Gerätearchitektur),das Schreiben dauert wenige Mikrosekunden pro wahlfrei geschriebenerDateneinheit (Byte oder Wort) und das Löschen, das in Einheiten vonganzen Blöckenstattfindet (normalerweise 64 Kilobyte pro Block), dauert Hundertevon Millisekunden. Währendein Flashspeicher-Gerätmit Schreiben oder Löschenbeschäftigtist, ist es möglicherweisenicht in der Lage, auf Leseanfragen zum Ausführen von Code zu reagieren.Die Ausführungvon Code, der einen Schreib- oder Löschvorgang aufruft, könnte tatsächlich diekontinuierliche Ausführungvon anderem Code blockieren, was dazu führen würde, dass ein zellulares Telefonoder PDA mit dieser Art von Speicherkonfiguration hängt.
    [0012] ZweiVerfahren werden im Stand der Technik eingesetzt, um dieses Problemzu überwinden.
    [0013] Daserste Verfahren besteht darin, das ausführbare Flashspeicher-Gerät in zweioder mehr separate Teile, oft als "Partitionen" bezeichnet, zu teilen, die unabhängig arbeitenkönnen.In diesem Zusammenhang bedeutet "Unabhängigkeit", dass, obwohl ineiner Partition ein Schreib-/Löschvorgang stattfindet,eine Schreibaufforderung von einer anderen Partition immer nochsofort bedient werden kann, ohne auf die Beendigung des Schreib-/Löschvorgangszu warten und ohne mit dem Schreib-/Löschvorgang zu kollidieren.Diese Fähigkeitwird von manchen Flash-Herstellern als "Read While Write" (Lesen beim Schreiben) oder "RWW" bezeichnet. Ein Flashspeicher-Gerät, das dieseFunktion unterstützt, speichertden Code in einer Partition und führt ihn darin aus und speichertdie Nicht-Code-Daten in einer anderen Partition. Sowohl Intel alsauch AMD bieten solche Gerätean. Es soll darauf hingewiesen werden, dass jede Partition entweder Codeoder Nicht-Code-Daten unterstützenkann und es ist die Aufgabe des Systemdesigners zu entscheiden,wo der Code und wo die Nicht-Code-Daten gespeichert werden (natürlich unterSicherstellung, dass der Prozessor beim Booten des Systems auf einenCodeabschnitt gerichtet ist).
    [0014] Daszweite Verfahren besteht darin, Software zu verwenden, um das Flashspeicher-Gerät gegen dasProblem "abzuschirmen" durch die Garantie, dassan Ort und Stelle Codeausführungsich nie zeitlich mit Flash-Schreiben oder Flash-Löschen überschneidet.Solche Lösungensind nicht trivial und erfordern intelligente Programmierung. Einfachausgedrückt,kopiert die FlashunterstützendeSoftware einen Teil ihres Flash-Zugriffscodes in den RAM und wenndann ein Schreib-/Löschvorganginitiiert wird, stellt die Flash-unterstützende Software sicher, dass dereinzige Code, der währendder Bearbeitungszeit abläuft,Code ist, der aus dem RAM heraus ausgeführt wird. Da das System hochprioreexterne Interrupts erhalten könnte,die sofortige Behandlung erfordern und nicht auf die Beendigungder Flash-Operation warten können(z. B. Empfang eines eingehenden Anrufs in einem zellularen Telefon),muss die Flash-unterstützendeSoftware Interrupts deaktivieren, bevor der Schreib-/Löschvorganggestartet wird (um den Prozessor daran zu hindern, zum Interrupt-Behandlung-Routinezu springen) und sie muss das System kontinuierlich auf eingehendeInterrupts hin überwachen.Wenn ein solcher Interrupt erkannt wird, hält die Flash-unterstützende Softwareden Schreib-/Löschvorgangan, ermöglichtdie Bedienung des Interrupts und nimmt dann den Vorgang wieder auf.Im Vergleich zur ersten Methode ist diese Methode nicht einfachzu konfigurieren und auf neue Flashspeicher-Geräte zu portieren; aber diesist die einzige Möglichkeitfür einFlashspeicher-Gerät, das keine RWW-Fähigkeithat. Intel bietet zwei Softwarepakete, genannt FDI und PSM, zurUnterstützungseiner Flashspeicher-Gerätean, die nach diesen Regeln arbeiten.
    [0015] Esbleibt ein Hauptproblem bei den Flashgeräten bestehen, die in Systemenmit der dritten oben beschriebenen Architektur verwendet werden(ein Flashspeicher-Gerätsowohl fürCode als auch für Nicht-Code-Daten,wobei der Code an Ort und Stelle aus geführt wird). Obwohl nur ein Teildes Flashspeicher-Gerätszur Ausführungvon Code verwendet wird und daher ausführbar sein muss, sind alleTeile des Flashspeicher-Gerätsvollständigausführbar. Diesist ein Nachteil, da ausführbarerFlashspeicher mehr Platz auf einem Chip verbraucht als äquivalenternicht ausführbarerFlashspeicher. Dieser zusätzlichePreis für "Ausführbarkeit" wird selbst für Teiledes Flashspeichers bezahlt, die sie nicht benötigen. Manche Hersteller vonHalbleitern (z. B. Samsung) erkennen dieses Problem und bieten Flash-Paketean, die Gruppen von mehreren Flash-Chips sind, von denen mancheausführbarund manche nicht ausführbar sind.Solche "Multi-Chip-Pakete" bieten jedoch aus mehrerenGründenkeine zufrieden stellende Lösung für diesesProblem. Diese Pakete sind normalerweise höher als herkömmlicheintegrierte Schaltungen; ihre Einbaukosten sind höher alsdie Einbaukosten fürherkömmlicheintegrierte Schaltungen; und die Arbeit mit ihnen ist im Allgemeinenweniger bequem als mit herkömmlichenintegrierten Flashspeicher-Schaltungen, da sie Flash-Chips verschiedenartigerTechnologien einschließen,die verschiedene Anbindungs- und Zugriffsmethoden erfordern.
    [0016] Esbesteht daher eine weithin anerkannte Notwendigkeit eines RWW-Flashspeicher-Geräts, dasdie Nachteile zurzeit bekannter RWW-Flashspeicher-Geräte, wieoben beschrieben, überwindenwürde undes wäresehr vorteilhaft, ein solches Gerät zu haben.
    [0017] Gemäß der vorliegendenErfindung wird ein Speichergerätbereitgestellt, das Folgendes einschließt: (a) eine ausführbare Flashspeicher-Partition;und (b) eine nicht ausführbarePartition; wobei beide Partitionen auf einem gemeinsamen Chip hergestelltwerden.
    [0018] Vorzugsweiseist die nicht ausführbarePartition eine Partition mit seriellem Zugriff. Alternativ ist dienicht ausführbarePartition eine Partition mit wahlfreiem Zugriff.
    [0019] Vorzugsweisesind sowohl die ausführbare alsauch die nicht ausführbarePartition Flashspeicher-Partitionen. Mehr bevorzugt werden beidePartitionen mit Hilfe einer gemeinsamen Flash speicher-Technologiehergestellt. Am meisten bevorzugt verwendet diese gemeinsame Flashspeicher-TechnologieFlashzellen mit isolierenden schwebenden Gates.
    [0020] DerSchutzumfang der vorliegenden Erfindung schließt auch ein elektronischesGerät ein,das ein Flashspeicher-Gerätder vorliegenden Erfindung einschließt. Bevorzugte Beispiele für solcheelektronischen Geräteschließenzellulare Telefone und PDAs ein.
    [0021] DieErfindung ist hierin, nur beispielhaft, unter Bezugnahme auf diebeigefügtenZeichnungen beschrieben, wobei:
    [0022] 1 ein schematisches Diagrammdes Layouts eines RWW-Flashspeicher-Geräts aus dem Standder Technik ist;
    [0023] 2 ein schematisches Diagrammdes Layouts eines Flashspeicher-Geräts der vorliegenden Erfindungist.
    [0024] Dievorliegende Erfindung betrifft ein monolithisches (d. h. auf einemeinzigen Halbleiter-Chip hergestelltes) RWW-Flashspeicher-Gerät, das kompakterist als vergleichbare Geräteim Stand der Technik. Die vorliegende Erfindung kann verwendet werden,um sowohl an Ort und Stelle ausführbaren Codeals auch andere Daten zu speichern, ohne Kollision zwischen derAusführungdes Codes und langsamen (Schreib- oder Lösch-)Operationen bei den anderenDaten.
    [0025] DieRegeln und der Betrieb eines monolithischen RWW-Flashspeicher-Geräts gemäß der vorliegendenErfindung kann unter Bezugnahme auf die Zeichnungen und die beigefügte Beschreibungbesser verstanden werden.
    [0026] MitBezugnahme auf die Zeichnungen ist 1 einschematisches Diagramm des Layouts eines RWW-Flashspeicher-Geräts 10 imStand der Technik. Das Gerät 10 schließt eineFlashzellen-Anordnung 12 mitwahlfreiem Zugriff ein, die in zwei Partitionen 12A und 12B unterteiltist. Jede Partition 12A und 12B hat ihre eigeneDecodierungs- und Peripherieschaltung 14, die Technikenund Architekturen mit wahlfreiem Zugriff verwendet, um das Lesen und SchreibenausgewählterBytes oder Wörterin dieser Partition 12A und 12B zu ermöglichen.Partitionen 12 und die dazugehörige Schaltung 14 werdenauf einem gemeinsamen (normalerweise Silizium-)Chip 16 hergestellt.
    [0027] Wieoben beschrieben, wähltein Systemdesigner eine der Partitionen 12A oder 12B zumSpeichern von Code und zum Ausführenan Ort und Stelle des gespeicherten Codes und nutzt die andere Partitionzum Speichern von Nicht-Code-Daten. Schreib- und Löschoperationen werden auf derPartition 12A oder 12B durchgeführt, diegenutzt wird, um die Nicht-Code-Daten zu speichern, gleichzeitigmit der Ausführungdes Codes an Ort und Stelle, der in der anderen Partition 12A oder 12B gespeichertist.
    [0028] 2 ist ein schematischesDiagramm des Layouts eines Flashspeicher-Geräts 20 der vorliegendenErfindung. Gerät 20 schließt eineFlashzellen-Anordnung 22 ein, die in Partitionen 22A und 22B unterteiltist. Jede Partition 22A und 22B hat ihre eigeneDecodierungs- und Peripherieschaltung 24. Schaltung 24A nutztTechniken und Architekturen mit wahlfreiem Zugriff, um das Lesenund Schreiben ausgewählterBytes oder Wörterin der Partition 22A zu ermöglichen und so die Partition 22A ausführbar zu machen.Schaltung 24B nutzt Techniken und Architekturen mit seriellemZugriff, um das Lesen und Schreiben ausgewählter Sektoren in der Partition 22B zuermöglichenund so den zusätzlichenVerwaltungsaufwand zu vermeiden, der erforderlich wäre, um diePartition 22B ausführbarzu machen. Die Partitionen 22 und die dazugehörige Schaltung 24 werdenauf einem gemeinsamen Halbleiter-Chip 26 hergestellt. Dadie Schaltung 24B einfacher ist als die Schaltung 24A,nimmt Schaltung 24B weniger Raum pro zugehöriger Flashzelleauf Chip 26 ein als Schaltung 24A. Dies wird inder 2 symbolisch dargestellt,indem Schaltung 24B weniger Platz eingeräumt wirdals 24A und indem Partition 22B entsprechend mehrPlatz eingeräumtwird als Partition 22A.
    [0029] Partition 22A,die ausführbarist, wird genutzt, um Code zu speichern und um den gespeichertenCode an Ort und Stelle aus zuführen.Partition 22B, die nicht ausführbar ist, wird verwendet,um Nicht-Code-Daten zu speichern. Schreib- und Löschoperationen werden auf derPartition 22B gleichzeitig mit der Ausführung des Codes an Ort undStelle in Partition 22A ausgeführt. Beachten Sie, dass Code, derin Partition 22B gespeichert ist und zum Ausführen aneinen anderen Speicherort (zum Beispiel RAM) kopiert wird, in diesemZusammenhang als Nicht-Code-Datenbetrachtet wird.
    [0030] Vorzugsweisewerden beide Partitionen 22 mit derselben Flashspeicher-Technologiehergestellt. Am meisten bevorzugt werden die Flashzellen der Partitionen 22 mitisolierenden schwebenden Gates hergestellt. Die Verwendung der Technologiemit isolierenden schwebenden Gates ermöglicht es den Flashzellen derPartition 22A, als Flashzellen mit wahlfreiem Zugriff hergestelltzu werden, und den Flashzellen der Partition 22B, als Flashzellenmit seriellem Zugriff hergestellt zu werden. Die vorliegende Erfindungberuht auf der Erkenntnis, dass die Technologie mit isolierendenschwebenden Gates genutzt werden könnte, um sowohl eine Flashzellen-Anordnungmit wahlfreiem Zugriff als auch eine Flashzellen-Anordnung mit seriellemZugriff auf demselben Chip 26 herzustellen und gleichzeitigeine relativ gute Leistung sowohl bei der Bearbeitung von Nicht-Code-Datenals auch bei der Ausführungvon Code an Ort und Stelle zu erzielen. Die relativ gute Schreib-/Lösch-Leistung,die zur Bearbeitung von Nicht-Code-Daten erforderlich ist, ist verfügbar, weil dieTechnologie mit isolierenden Gates eine Art von NOR-Technologieist, die eine Schreib-/Lösch-Geschwindigkeit ähnlich derNAND-Technologieerreichen kann.
    [0031] Alternativwerden die Flashzellen beider Partitionen 22 als Flashzellenmit wahlfreiem Zugriff hergestellt unter Verwendung einer Flashtechnologiemit inhärentwahlfreiem Zugriff, wie zum Beispiel eines herkömmlichen NOR-Flashs. Bei dieserAlternative ist das, was die Partition 22B nicht ausführbar macht, diedazugehörigeSchaltung 24B, die nur seriellen Zugriff auf die Partition 22B gestattet.Diese Alternative ist weniger bevorzugt als die Verwendung der Technologiemit isolierenden Gates wegen der relativ schwächeren Leistung dieser Alternativebei der Bearbeitung von Nicht-Code-Daten in Partition 22B.
    [0032] Einedritte, viel weniger bevorzugte, Option ist die Herstellung derPartitionen 22A und 22B mit verschiedenen Flashtechnologien,zum Beispiel NOR-Flash (mit wahlfreiem Zugriff) für die ausführbare Partition 22A undNAND-Flash (mit seriellem Zugriff) für die nicht ausführbare Partition 22B.Diese Option ist viel weniger bevorzugt, weil die Unterschiede inden Herstellungsmethoden der beiden Flashtechnologien bewirken,dass die Verwendung beider Flashtechnologien auf demselben Chip 26 schwierig undnicht kosteneffektiv ist.
    [0033] Essoll darauf hingewiesen werden, dass, obwohl der Schutzumfang dervorliegenden Erfindung nicht ausführbare Partitionen 22B einschließt, dieauf einer anderen Datenspeicherungstechnologie als Flashspeicherungbasieren, die vorliegende Erfindung verlangt, dass die ausführbare Partition 22A auf Flashspeicher-Technologie basiert.Daher schließt derSchutzumfang der vorliegenden Erfindung explizit Geräte mit ausführbaremRAM aus; Beispiele für dieseGeräteaus dem Stand der Technik schließen zum Beispiel die MDOC-Geräte ein,die von M-Systems in Kfar Saba, Israel, erhältlich sind.
    [0034] Obwohldie Erfindung mit Bezug auf eine beschränkte Anzahl von Ausführungsformenbeschrieben wurde, wird erkannt, dass viele Variationen, Modifikationenund andere Anwendungen der Erfindung vorgenommen werden können.
    [0035] Wenntechnische Merkmale, die in einem Anspruch erwähnt werden, von Bezugszeichengefolgt sind, wurden diese Bezugszeichen nur zu dem Zweck eingeschlossen,die Verständlichkeitder Ansprüchezu erhöhenund entsprechend haben solche Bezugszeichen keine einschränkende Wirkungauf den Schutzumfang jedes Elements, das beispielhaft durch solcheBezugszeichen bezeichnet ist.
    权利要求:
    Claims (9)
    [1] Eine Speichervorrichtung, die Folgendes umfasst: (a)eine ausführbareFlashspeicher-Partition; und (b) eine nicht ausführbare Partition; wobeidie beiden Partitionen auf einem gemeinsamen Chip hergestellt sind.
    [2] Die Speichervorrichtung von Anspruch 1, wobei dienicht ausführbarePartition eine Partition mit seriellem Zugriff ist.
    [3] Die Speichervorrichtung von Anspruch 1, wobei dienicht ausführbarePartition eine Partition mit wahlfreiem Zugriff ist.
    [4] Die Speichervorrichtung von Anspruch 1, wobei dienicht ausführbarePartition eine Flashspeicher-Partition ist.
    [5] Die Speichervorrichtung von Anspruch 4, wobei diebeiden Partitionen mit einer gemeinsamen Flashspeicher-Technologiehergestellt werden.
    [6] Die Speichervorrichtung von Anspruch 5, wobei dieFlashspeicher-Technologie Flashzellen mit isolierenden schwebendenGates verwendet.
    [7] Eine elektronische Vorrichtung, welche die Speichervorrichtungvon Anspruch 1 umfasst.
    [8] Die elektronische Vorrichtung von Anspruch 7, wobeidie elektronische Vorrichtung ein zellulares Telefon ist.
    [9] Die elektronische Vorrichtung von Anspruch 7, wobeidie elektronische Vorrichtung ein PDA ist.
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
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